Substrat seramik silikon nitrida mempunyai banyak kelebihan, seperti kekuatan tinggi, ketahanan tinggi, dan kekonduksian terma yang luar biasa (130W/(m-k)). Selain itu, pekali pengembangan terma hampir sama dengan semikonduktor Si, SiC, dan GaN. Oleh itu, substrat seramik silikon nitrida adalah pilihan ideal untuk pembungkusan modul berkuasa tinggi, menjadikannya secara meluas dianggap sebagai pilihan substrat seramik yang paling sesuai.
Syarikat kami menggunakan proses nitridasi langsung untuk menghasilkan serbuk silikon berketulenan tinggi. Melalui teknologi paten unik kami, kami mengawal bahan silikon, proses nitrida, dan proses penapisan untuk menyediakan serbuk silikon nitrida CF-HJ dengan ketulenan tinggi, kandungan fasa A yang tinggi, taburan saiz zarah yang sempit, dan aktiviti sintering yang luar biasa. Jenis serbuk silikon nitrida ini telah berjaya menamatkan monopoli asing dan boleh berfungsi sebagai pengganti sepenuhnya untuk serbuk silikon nitrida import pada tahap kualiti yang sama.
|
Item ujian |
Unit |
Julat indeks |
Peralatan atau kaedah ujian |
|
fasa α |
% |
≥90 |
Difraktometer sinar-X JC/T 2342-2015 |
|
Fe |
ppm |
≤200 |
Kaedah penyerapan atom ISO10058-3:2008 |
|
Al |
ppm |
≤200 |
|
|
Ca |
ppm |
≤200 |
|
|
N |
% |
≥38.5 |
Peralatan nitrogen Kjeldahl GB/T 16555-2017 |
|
Frss Si |
% |
<0.2 |
Methpd volumetrik gas GB/T 16555-2017 |
|
C |
% |
≤0.10 |
Penganalisis karbon inframerah frekuensi tinggi GB/T 16555-2017 |
|
D50 |
μm |
≤0.9 |
Penganalisis saiz zarah laser GB/T19077-2016 |
|
O |
% |
≤1.4 |
Kaedah konduktiviti terma inframerah denyutan gas lengai GB/T 16555-2017 |
